BSO119N03S Todos los transistores

 

BSO119N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO119N03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0119 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSO119N03S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSO119N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  infineon
 bso119n03s rev1.7 g.pdf pdf_icon

BSO119N03S

BSO119N03S "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D

 9.1. Size:671K  infineon
 bso110n03ms.pdf pdf_icon

BSO119N03S

%" ! % %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( GD O D n)S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@S +4 8D77 B>3F;@9 - A#

 9.2. Size:553K  infineon
 bso110n03msg.pdf pdf_icon

BSO119N03S

BSO110N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 11mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 13.9GS 100% Avalanche testedI 12.1 AD N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)P

Otros transistores... BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , IRF2807 , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 , BSO150N03MDG , BSO200N03 , BSO200N03S , BSO200P03SH .

History: 2SK890 | SPA07N60CFD | BLF369 | AOD7S60 | IRF7534D1PBF | AFP4435 | DMG7410SFG

 

 
Back to Top

 


 
.