Справочник MOSFET. BSO119N03S

 

BSO119N03S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSO119N03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для BSO119N03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO119N03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  infineon
 bso119n03s rev1.7 g.pdf pdf_icon

BSO119N03S

BSO119N03S "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D

 9.1. Size:671K  infineon
 bso110n03ms.pdf pdf_icon

BSO119N03S

%" ! % %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( GD O D n)S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@S +4 8D77 B>3F;@9 - A#

 9.2. Size:553K  infineon
 bso110n03msg.pdf pdf_icon

BSO119N03S

BSO110N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 11mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 13.9GS 100% Avalanche testedI 12.1 AD N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)P

Другие MOSFET... BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , IRF2807 , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 , BSO150N03MDG , BSO200N03 , BSO200N03S , BSO200P03SH .

 

 
Back to Top

 


 
.