BSO130N03MSG Todos los transistores

 

BSO130N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO130N03MSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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BSO130N03MSG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:671K  infineon
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BSO130N03MSG

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BSO130N03MSG

BSO130P03SOptiMOSTM-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 13mDS(on),max Enhancement modeI -11.3 AD Logic level 150C operating temperature Avalanche ratedP-DSO-8 dv /dt rated Ideal for fast switching buck converterType Package MarkingBSO130P03S P-DSO-8 130P3SMaximum ratings, at T =25 C, unless otherwise

 8.2. Size:328K  infineon
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BSO130N03MSG

BSO130P03S HOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 13mDS(on),max Enhancement modeI -11.7 AD Logic levelPG-DSO-8 150C operating temperature qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking Lead fr

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History: PMV30ENEA | VBE1307 | STP12N65M5

 

 
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