BSO150N03 Todos los transistores

 

BSO150N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO150N03
   Código: 150N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO150N03

 

BSO150N03 Datasheet (PDF)

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BSO150N03
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BSO150N03 "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D

 0.1. Size:300K  infineon
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BSO150N03
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BSO150N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 15mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 18.2GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 9.3 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

 0.2. Size:671K  infineon
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BSO150N03
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