BSO150N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSO150N03
Маркировка: 150N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: SO8
BSO150N03 Datasheet (PDF)
bso150n03 rev1.7 g.pdf
BSO150N03 "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D
bso150n03mdg.pdf
BSO150N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 15mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 18.2GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 9.3 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM
bso150n03md.pdf
%" ! %0;53F;A@ ) AF74AA= 0" +* ' 0 1 G S 'AI !* ( 8AD #;9: !D7CG7@5K .( +.DS H3>3@5:7 F7EF76S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( GD O D n)S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918