BSO211PH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSO211PH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO211PH
BSO211PH Datasheet (PDF)
bso211p.pdf
BSO211P HOptiMOS P-Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -20 V dual P-Channel in SO8RDS(on),max VGS=4.5 V 67 mW Qualified according JEDEC for target applicationsVGS=2.5 V 110 150C operating temperatureID -A 4.6 Super Logic Level (2.5V rated) Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21PG-DSO-8 Type Pa
bso211p h 13.pdf
BSO211P HOptiMOS P-Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -20 VDS dual P-Channel in SO8R V =4.5 V 67mDS(on),max GS Qualified according JEDEC for target applicationsV =2.5 V 110GS 150C operating temperatureI 4.6 AD Super Logic Level (2.5V rated) Pb-free plating; RoHS compliantPG-DSO-8 Halogen-free according to IEC61249-2-21Type P
bso215c.pdf
Preliminary dataBSO 215 CSIPMOS Small-Signal-TransistorFeatures Product Summary N PDrain source voltage VDS 20 -20 V Dual N- and P -Channel Enhancement mode Drain-Source on-state RDS(on) 0.1 0.1resistance Logic LevelContinuous drain current ID 3.7 -3.7 A Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering CodeBSO 215 C SO 8 Q67041-S4025Maximum Ratings,at Tj = 25 C,
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: VBI1638
History: VBI1638
Liste
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