BSP603S2L Todos los transistores

 

BSP603S2L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSP603S2L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 244 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: SOT223

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BSP603S2L datasheet

 ..1. Size:237K  infineon
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BSP603S2L

BSP603S2L Green Product (RoHS Compliant) AEC Qualified On Request

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BSP603S2L

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BSP60; BSP61; BSP62 PNP Darlington transistors 1999 Apr 29 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BSP60; BSP61; BSP62 FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 base Integrated di

 9.2. Size:153K  siemens
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BSP603S2L

PNP Silicon Darlington Transistors BSP 60 BSP 62 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BSP 50 BSP 52 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 4 BSP 60 BSP 60 Q62702-P1166 B C E C SOT-223 BSP 61 BSP 61 Q62702-P1167 BSP 62 BSP 62 Q62702-P1168 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit

Otros transistores... BSO300N03S , BSO301SPH , BSO303PH , BSO303SPH , BSO330N02KG , BSO350N03 , BSO613SPVG , BSO615NG , IRFP064N , BSP170P , BSP171P , BSP315P , BSP316P , BSP317P , BSP321P , BSP322P , BSP613P .

History: KF5N50PZ

 

 

 

 

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