BSP603S2L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP603S2L
   Código: 2N603L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 244 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSP603S2L

BSP603S2L Datasheet (PDF)

..1. Size:237K infineon
bsp603s2l ds 11.pdf

BSP603S2L Green Product (RoHS Compliant) AEC Qualified On Request

9.1. Size:53K philips
bsp60 bsp61 bsp62.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BSP60; BSP61; BSP62PNP Darlington transistors1999 Apr 29Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistors BSP60; BSP61; BSP62FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 base Integrated di

9.2. Size:153K siemens
bsp60 bsp61 bsp62.pdf

PNP Silicon Darlington Transistors BSP 60 BSP 62 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BSP 50 BSP 52 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BSP 60 BSP 60 Q62702-P1166 B C E C SOT-223BSP 61 BSP 61 Q62702-P1167BSP 62 BSP 62 Q62702-P1168Maximum RatingsParameter Symbol Values Unit

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: