Справочник MOSFET. BSP603S2L

 

BSP603S2L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP603S2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP603S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  infineon
 bsp603s2l ds 11.pdf pdf_icon

BSP603S2L

BSP603S2L Green Product (RoHS Compliant) AEC Qualified On Request

 9.1. Size:53K  philips
 bsp60 bsp61 bsp62.pdf pdf_icon

BSP603S2L

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BSP60; BSP61; BSP62PNP Darlington transistors1999 Apr 29Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistors BSP60; BSP61; BSP62FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 base Integrated di

 9.2. Size:153K  siemens
 bsp60 bsp61 bsp62.pdf pdf_icon

BSP603S2L

PNP Silicon Darlington Transistors BSP 60 BSP 62 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BSP 50 BSP 52 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BSP 60 BSP 60 Q62702-P1166 B C E C SOT-223BSP 61 BSP 61 Q62702-P1167BSP 62 BSP 62 Q62702-P1168Maximum RatingsParameter Symbol Values Unit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.