BSP603S2L - описание и поиск аналогов

 

BSP603S2L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP603S2L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для BSP603S2L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP603S2L даташит

 ..1. Size:237K  infineon
 bsp603s2l ds 11.pdf pdf_icon

BSP603S2L

BSP603S2L Green Product (RoHS Compliant) AEC Qualified On Request

 9.1. Size:53K  philips
 bsp60 bsp61 bsp62.pdf pdf_icon

BSP603S2L

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BSP60; BSP61; BSP62 PNP Darlington transistors 1999 Apr 29 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BSP60; BSP61; BSP62 FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 base Integrated di

 9.2. Size:153K  siemens
 bsp60 bsp61 bsp62.pdf pdf_icon

BSP603S2L

PNP Silicon Darlington Transistors BSP 60 BSP 62 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BSP 50 BSP 52 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 4 BSP 60 BSP 60 Q62702-P1166 B C E C SOT-223 BSP 61 BSP 61 Q62702-P1167 BSP 62 BSP 62 Q62702-P1168 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit

Другие MOSFET... BSO300N03S , BSO301SPH , BSO303PH , BSO303SPH , BSO330N02KG , BSO350N03 , BSO613SPVG , BSO615NG , IRFP064N , BSP170P , BSP171P , BSP315P , BSP316P , BSP317P , BSP321P , BSP322P , BSP613P .

History: WM10N35M3M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.