BSZ067N06LS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ067N06LS3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON8
- Selección de transistores por parámetros
BSZ067N06LS3G Datasheet (PDF)
bsz067n06ls3 bsz067n06ls3g.pdf

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bsz065n03ls.pdf

For BSZ065N03LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA)RDS(on),max VGS=10 V 6.5 mW Very low FOMQOSS for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 8.6 Low FOMSW for High Frequency SMPSID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V PG-TSDSON-8 (fu
bsz068n06ns.pdf

TypeBSZ068N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 6.8 mW Superior thermal resistanceID 40 A N-channelQOSS nC 19 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 17 Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TSD
bsz063n04ls6.pdf

BSZ063N04LS6MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free accord
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NTB6410AN | SDF1NA60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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