BSZ086P03NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ086P03NS3G
   Código: 086P3N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ086P03NS3G

BSZ086P03NS3G Datasheet (PDF)

..1. Size:620K infineon
bsz086p03ns3g 2.02.pdf

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..2. Size:439K infineon
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BSZ086P03NS3 GOptiMOSTM P3 Power-TransistorProduct Summary VDS -30 V FeaturesRDS(on),max 8.6 single P-Channel in S3O8 mW Qualified according JEDEC1) for target applicationsID -40 A PG-TSDSON-8 150 C operating temperature V =25 V, specially suited for notebook applicationsGS Pb-free; RoHS compliant applications: battery management, load switchin

2.1. Size:628K infineon
bsz086p03ns3eg 2.02.pdf

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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VBSZ084N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VBSZ084N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC co

9.2. Size:619K infineon
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Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

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