BSZ086P03NS3EG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ086P03NS3EG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Encapsulados: TSDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSZ086P03NS3EG MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BSZ086P03NS3EG datasheet
bsz086p03ns3eg 2.02.pdf
&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@ $>E Features V DS R C ?8=6 ) 92??6= ? , ( 8.6 m DS(on) max 1) R * E2= 7 65 244@B5 ?8 $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C 40 A D R U @A6B2D ?8 D6>A6B2DEB6 PG TSDSON 8 R . CA64 2==I CE D65 7@B ?@D63@@A= 2?D R , AB@D64D65 R 2AA= 42D @?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG D49 ?8 R "2=@86? 7B66 244@B5 ?8
bsz086p03ns3g 2.02.pdf
&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@ $>E V Features DS 8.6 m R C ?8=6 ) 92??6= ? , ( DS(on) max 1) 40 A R * E2= 7 65 244@B5 ?8 $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C D R U @A6B2D ?8 D6>A6B2DEB6 PG TSDSON 8 R . CA64 2==I CE D65 7@B ?@D63@@A= 2?D R 2AA= 42D @?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG D49 ?8 R "2=@86? 7B66 244@B5 ?8 D@ # Type Pac
bsz086p03ns3g.pdf
BSZ086P03NS3 G OptiMOSTM P3 Power-Transistor Product Summary VDS -30 V Features RDS(on),max 8.6 single P-Channel in S3O8 mW Qualified according JEDEC1) for target applications ID -40 A PG-TSDSON-8 150 C operating temperature V =25 V, specially suited for notebook applications GS Pb-free; RoHS compliant applications battery management, load switchin
bsz084n08ns5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ084N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ084N08NS5 TSDSON-8 FL 1 Description (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC co
Otros transistores... BSZ042N04NSG , BSZ050N03LSG , BSZ050N03MSG , BSZ058N03LSG , BSZ058N03MSG , BSZ067N06LS3G , BSZ076N06NS3G , BSZ086P03NS3G , IRF9540N , BSZ088N03LSG , BSZ088N03MSG , BSZ0909NS , BSZ097N04LSG , BSZ100N03LSG , BSZ100N03MSG , BSZ100N06LS3G , BSZ105N04NSG .
History: TK31V60W5
History: TK31V60W5
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet