BSZ088N03MSG Todos los transistores

 

BSZ088N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ088N03MSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSZ088N03MSG Datasheet (PDF)

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BSZ088N03MSG

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BSZ088N03MSG

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BSZ088N03MSG

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BSZ088N03MSG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VBSZ084N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VBSZ084N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC co

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History: P3506DD | SIHF10N40D | MTP3N35 | SL4813A | FK30SM-5 | SI2202

 

 
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