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BSZ160N10NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ160N10NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8
 

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BSZ160N10NS3G Datasheet (PDF)

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BSZ160N10NS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

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BSZ160N10NS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

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BSZ160N10NS3G

%* ! !% #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@99-=DFeatures 1 D Q #4513I CG9D389>7 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

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BSZ160N10NS3G

TypeBSZ16DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 165mW N-channel, normal levelID 10.9 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

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History: PSMN4R4-80PS | SVF7N65S | BSS138BKW

 

 
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