BSZ180P03NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ180P03NS3G
   Código: 180P3N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 744 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ180P03NS3G

BSZ180P03NS3G Datasheet (PDF)

..1. Size:632K infineon
bsz180p03ns3g bsz180p03ns3g 21.pdf

&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@$>E VFeaturesDS 18R C:?8=6 ) 92??6= :? , ( m DS(on) max1)R * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 9.6 ADPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type

2.1. Size:619K infineon
bsz180p03ns3eg.pdf

&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@$>E VFeaturesDS 18R C:?8=6 ) 92??6= :? , ( m DS(on) max1)R * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 9.6 ADPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR , AB@D64D65R 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: