Справочник MOSFET. BSZ180P03NS3G

 

BSZ180P03NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ180P03NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 744 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ180P03NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  infineon
 bsz180p03ns3g bsz180p03ns3g 21.pdf pdf_icon

BSZ180P03NS3G

&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@$>E VFeaturesDS 18R C:?8=6 ) 92??6= :? , ( m DS(on) max1)R * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 9.6 ADPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type

 2.1. Size:619K  infineon
 bsz180p03ns3eg.pdf pdf_icon

BSZ180P03NS3G

&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@$>E VFeaturesDS 18R C:?8=6 ) 92??6= :? , ( m DS(on) max1)R * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 9.6 ADPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR , AB@D64D65R 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PH4830L | WMJ38N60C2 | STD17N05LT4 | HGP057N15S | AO6804A | KP737A | 2SK4019

 

 
Back to Top

 


 
.