BSZ22DN20NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ22DN20NS3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
Encapsulados: TSDSON8
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BSZ22DN20NS3G datasheet
bsz22dn20ns3 bsz22dn20ns3g.pdf
Type BSZ22DN20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 225 mW N-channel, normal level ID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for
Otros transistores... BSZ12DN20NS3G , BSZ130N03LSG , BSZ130N03MSG , BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , STP80NF70 , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH .
History: SGW100N025 | BSZ076N06NS3G | SML40H28
History: SGW100N025 | BSZ076N06NS3G | SML40H28
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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