BSZ22DN20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ22DN20NS3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON8
BSZ22DN20NS3G Datasheet (PDF)
bsz22dn20ns3 bsz22dn20ns3g.pdf
TypeBSZ22DN20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 225mW N-channel, normal levelID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for
Otros transistores... BSZ12DN20NS3G , BSZ130N03LSG , BSZ130N03MSG , BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , 20N50 , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH .
History: APT20M16LFLL
History: APT20M16LFLL
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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