BUZ31H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ31H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de BUZ31H MOSFET
BUZ31H PDF Specs
buz31h.pdf
BUZ 31 H SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Normal Level . Pb-free lead plating; RoHs compliant . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Pb-free BUZ 31 H 200 V 14.5 A 0.2 PG-TO-220-3 Yes Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C ... See More ⇒
buz31h3046.pdf
BUZ 31 H3046 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Normal Level . Pb-free lead plating; RoHs compliant . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Pb-free BUZ 31 H3046 200 V 14.5 A 0.2 PG-TO-262-3 Yes Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC =... See More ⇒
buz31h3045a.pdf
BUZ31 H3045 A . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free PG-TO263-3 BUZ31 H3045A Yes Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A 2009-11-09 Rev 2.1 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev... See More ⇒
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ31H3046 FEATURES Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V... See More ⇒
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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