IPA028N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA028N08N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de IPA028N08N3G MOSFET
IPA028N08N3G Datasheet (PDF)
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPA029N06NData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPA029N06NTO-220-FP1 DescriptionFeatures Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel
ipa029n06nm5s.pdf

IPA029N06NM5SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 60 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA029N06NFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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History: HM15N02Q | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G | HGW059N12S | ELM16403EA | PMPB47XP | MPSY65M170
History: HM15N02Q | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G | HGW059N12S | ELM16403EA | PMPB47XP | MPSY65M170



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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