IPA032N06N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA032N06N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de IPA032N06N3G MOSFET
IPA032N06N3G Datasheet (PDF)
ipa032n06n3g.pdf

Type IPA032N06N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.2 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 84 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS com
ipa032n06n3 rev20.pdf

pe # ! ! TM #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35
ipa032n06n3.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA032N06N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa037n08n3g.pdf

IPA037N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli
Otros transistores... BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H , BUZ73AH , BUZ73ALH , BUZ73LH , IPA028N08N3G , IPA030N10N3G , K2611 , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IPA100N08N3G .
History: TPCC8068-H | SI1039X | AP2764I-A | STD6NF10 | BL3N90E-D | CSD18503KCS | CEP03N8
History: TPCC8068-H | SI1039X | AP2764I-A | STD6NF10 | BL3N90E-D | CSD18503KCS | CEP03N8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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