Справочник MOSFET. IPA032N06N3G

 

IPA032N06N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA032N06N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA032N06N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA032N06N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  infineon
ipa032n06n3g.pdfpdf_icon

IPA032N06N3G

Type IPA032N06N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.2 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 84 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS com

 3.1. Size:542K  infineon
ipa032n06n3 rev20.pdfpdf_icon

IPA032N06N3G

pe # ! ! TM #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35

 3.2. Size:201K  inchange semiconductor
ipa032n06n3.pdfpdf_icon

IPA032N06N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA032N06N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.1. Size:393K  infineon
ipa037n08n3g.pdfpdf_icon

IPA032N06N3G

IPA037N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

Другие MOSFET... BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H , BUZ73AH , BUZ73ALH , BUZ73LH , IPA028N08N3G , IPA030N10N3G , K2611 , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IPA100N08N3G .

History: CEP85N75 | FTK2102 | HM60N03D | SSM6P36FE | 2SK2826 | BSC010N04LS6

 

 
Back to Top

 


 
.