IPA086N10N3G Todos los transistores

 

IPA086N10N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA086N10N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 37.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Corriente continua de drenaje (Id): 45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 42 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0086 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

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IPA086N10N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipa086n10n3g rev2.2.pdf Size:536K _infineon

IPA086N10N3G
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IPA086N10N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5< >?B=1< <5F5< R m , ?> =1H Q H35<<5>D 71D5 381B75 H R @B?4E3D ( & D n) I 4 D Q .5BI B5C9CD1>35 R D n) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 <514 @<1D9>7 + ?", 3?=@<91>D 1) Q * E1<96954 133?B49>7 D? $ 6?B D1B75D 1@@<931D9?> Q #451< 6?B 8978 6B5AE5>3I CG9D389>7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>

5.1. ipa083n10n5.pdf Size:1811K _infineon

IPA086N10N3G
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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSª5 Power-Transistor, 100 V IPA083N10N5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSª5 Power-Transistor, 100 V IPA083N10N5 TO-220-FP 1 Description Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low on-resista

Otros transistores... IPA028N08N3G , IPA030N10N3G , IPA032N06N3G , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IRF9540N , IPA093N06N3G , IPA100N08N3G , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , IPA180N10N3G , IPA50R140CP , IPA50R199CP , IPA50R250CP .

 

 
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