IPA093N06N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA093N06N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA093N06N3G datasheet
ipa093n06n3g.pdf
Type IPA093N06N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 9.3 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 43 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to J
ipa093n06n3 rev20.pdf
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ipa093n06n3.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA093N06N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Otros transistores... IPA030N10N3G , IPA032N06N3G , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IPA086N10N3G , 7N60 , IPA100N08N3G , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , IPA180N10N3G , IPA50R140CP , IPA50R199CP , IPA50R250CP , IPA50R299CP .
History: APT1201R2BLL
History: APT1201R2BLL
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