IPA105N15N3G Todos los transistores

 

IPA105N15N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA105N15N3G

Código: 105N15N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 37 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 41 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 378 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0105 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPA105N15N3G

 

IPA105N15N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipa105n15n3.pdf Size:548K _infineon

IPA105N15N3G
IPA105N15N3G

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1.2. ipa105n15n3g rev2.1.pdf Size:550K _infineon

IPA105N15N3G
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 1.3. ipa105n15n3.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

IPA105N15N3G
IPA105N15N3G

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3 ·FEATURES ·With TO-220F package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·Reduced switching and conduction losses ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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