IPA105N15N3G Todos los transistores

 

IPA105N15N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA105N15N3G

Código: 105N15N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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IPA105N15N3G datasheet

 ..1. Size:550K  infineon
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IPA105N15N3G

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

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IPA105N15N3G

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

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IPA105N15N3G

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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IPA105N15N3G

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