Справочник MOSFET. IPA105N15N3G

 

IPA105N15N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPA105N15N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для IPA105N15N3G

 

 

IPA105N15N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf

IPA105N15N3G IPA105N15N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 3.1. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf

IPA105N15N3G IPA105N15N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 3.2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf

IPA105N15N3G IPA105N15N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf

IPA105N15N3G IPA105N15N3G

# ! ! (TM) #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top