IPA180N10N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA180N10N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA180N10N3G datasheet
ipa180n10n3g.pdf
IPA180N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 28 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freque
ipa180n10n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPA180N10N3,IIPA180N10N3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 18m (max) Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is intended for general purpose switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
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History: WM15P10M2 | BLF7G15LS-200
History: WM15P10M2 | BLF7G15LS-200
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