IPA180N10N3G Todos los transistores

 

IPA180N10N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA180N10N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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IPA180N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  infineon
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IPA180N10N3G

IPA180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 28 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freque

 3.1. Size:244K  inchange semiconductor
 ipa180n10n3.pdf pdf_icon

IPA180N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA180N10N3,IIPA180N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 18m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is intended for general purpose switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: LND150N3 | 2SK2912S | FTK1N60F | SPU07N60S5 | LSGE10R080W3 | SUM27N20-78 | SED10080GG

 

 
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