Справочник MOSFET. IPA180N10N3G

 

IPA180N10N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA180N10N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA180N10N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA180N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  infineon
 ipa180n10n3g.pdf pdf_icon

IPA180N10N3G

IPA180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 28 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freque

 3.1. Size:244K  inchange semiconductor
 ipa180n10n3.pdf pdf_icon

IPA180N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA180N10N3,IIPA180N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 18m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is intended for general purpose switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IPA100N08N3G , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , 60N06 , IPA50R140CP , IPA50R199CP , IPA50R250CP , IPA50R299CP , IPA50R350CP , IPA50R380CE , IPA50R399CP , IPA50R520CP .

History: GSM2304 | IXTP64N10L2 | 2SK356 | PMZB290UNE2 | SFF140J | SIB404DK | VBZE12N03

 

 
Back to Top

 


 
.