IPA50R140CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA50R140CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de IPA50R140CP MOSFET
IPA50R140CP Datasheet (PDF)
ipa50r140cp.pdf

IPA50R140CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 550 V!0 W 4EHB:M?:; 8;IJ / ?D 1, DS(on)R 0.140 DS(on) maxW )EM;IJ
ipa50r140cp.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA50R140CPFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa50r190ce ipp50r190ce ipw50r190ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R190CEData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPW50R190CE, IPP50R190CE, IPA50R190CETO-247 TO-220 TO-220 FP1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the s
ipa50r199cp.pdf

IPA50R199CPCIMOSTM$;B1='=-:>5>?;=$=;0@/?&@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0W)EM;IJ
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Liste
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