IPA50R399CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA50R399CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.399 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA50R399CP datasheet
ipa50r399cp.pdf
IPA50R399CP C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 V )DL HI ;>I / M . C6CI 0) 1, #JAA - ( V . J6Ai;> 9 688DG9>C 01>53 10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C
ipa50r399cp.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA50R399CP FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa50r350cp.pdf
IPA50R350CP C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 V )DL HI ;>I / M . , + g 0. 50 DS(on) max V 2 AIG6 ADL IN V -7 ;G A 69 EA6I>C6CI 1, #JAA - ( 0) V . J6iified 688DG9>C 01>53 10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C
ipa50r380ce.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R380CE Data Sheet Rev. 2.0, 2010-08-27 Final Industrial & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CE IPI50R380CE 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (S
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History: CS16N60P
History: CS16N60P
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