IPA65R280C6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA65R280C6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA65R280C6 datasheet
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MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C6 65 C lMO C6 e n i t I x65 280C6 D t eet Rev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , == $&)G '=D3? *?/
ipa65r280c6.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R280C6 FEATURES With TO-220F Package Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.28 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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History: SUP36N20-54P
History: SUP36N20-54P
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