IPA65R280C6 Todos los transistores

 

IPA65R280C6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA65R280C6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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IPA65R280C6 datasheet

 ..1. Size:1337K  infineon
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IPA65R280C6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C6 65 C lMO C6 e n i t I x65 280C6 D t eet Rev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , == $&)G '=D3? *?/

 ..2. Size:2104K  infineon
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IPA65R280C6

MOSFET +

 ..3. Size:225K  inchange semiconductor
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IPA65R280C6

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R280C6 FEATURES With TO-220F Package Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.28 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 5.1. Size:1885K  infineon
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IPA65R280C6

MOSFET +

Otros transistores... IPA60R520C6 , IPA60R520CP , IPA60R520E6 , IPA60R600C6 , IPA60R600CP , IPA60R600E6 , IPA60R750E6 , IPA60R950C6 , 10N60 , IPA65R280E6 , IPA65R380C6 , IPA65R380E6 , IPA65R600C6 , IPA65R600E6 , IPA65R660CFD , IPA90R1K0C3 , IPA90R1K2C3 .

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