IPA65R280E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA65R280E6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPA65R280E6
IPA65R280E6 Datasheet (PDF)
ipa65r280e6.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R280E6FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME
ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf
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ipa65r280c6.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R280C6FEATURESWith TO-220F PackageDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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History: FCD260N65S3
History: FCD260N65S3
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