IPA65R280E6 Todos los transistores

 

IPA65R280E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA65R280E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPA65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1885K  infineon
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IPA65R280E6

MOSFET+

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
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IPA65R280E6

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R280E6FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 5.1. Size:1337K  infineon
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IPA65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

 5.2. Size:2104K  infineon
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MOSFET+

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History: SFP110N200C3 | FQU1N50TU | SST202 | BLF7G24LS-100 | GSM2312 | IRF7316QPBF | NTLUS3A39PZTAG

 

 
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