IPB22N03S4L-15 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB22N03S4L-15 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0146 Ohm
Encapsulados: TO263
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de IPB22N03S4L-15 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IPB22N03S4L-15 datasheet
ipb22n03s4l-15 ipi22n03s4l-15 ipp22n03s4l-15 ipp22n03s4l ipb22n03s4l ipi22n03s4l.pdf
IPB22N03S4L-15 IPI22N03S4L-15, IPP22N03S4L-15 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R (SMD version) 14.6 m DS(on),max I 22 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low
Otros transistores... IPB120N06S4-03, IPB160N04S2-03, IPB160N04S2L-03, IPB160N04S3-H2, IPB180N03S4L-H0, IPB180N04S3-02, IPB180N04S4-00, IPB180N06S4-H1, RFP50N06, IPB45N06S4-09, IPB45N06S4L-08, IPB45P03P4L-11, IPB47N10S-33, IPB47N10SL-26, IPB50N10S3L-16, IPB70N04S3-07, IPB70N10S3-12
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7946ADP | UTT60P03
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet
