Справочник MOSFET. IPB22N03S4L-15

 

IPB22N03S4L-15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB22N03S4L-15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0146 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB22N03S4L-15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB22N03S4L-15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  infineon
 ipb22n03s4l-15 ipi22n03s4l-15 ipp22n03s4l-15 ipp22n03s4l ipb22n03s4l ipi22n03s4l.pdf pdf_icon

IPB22N03S4L-15

IPB22N03S4L-15IPI22N03S4L-15, IPP22N03S4L-15OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR (SMD version) 14.6mDS(on),max I 22 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low

Другие MOSFET... IPB120N06S4-03 , IPB160N04S2-03 , IPB160N04S2L-03 , IPB160N04S3-H2 , IPB180N03S4L-H0 , IPB180N04S3-02 , IPB180N04S4-00 , IPB180N06S4-H1 , IRLZ44N , IPB45N06S4-09 , IPB45N06S4L-08 , IPB45P03P4L-11 , IPB47N10S-33 , IPB47N10SL-26 , IPB50N10S3L-16 , IPB70N04S3-07 , IPB70N10S3-12 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.