IPB47N10S-33 Todos los transistores

 

IPB47N10S-33 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB47N10S-33

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB47N10S-33 datasheet

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IPB47N10S-33

IPI47N10S-33 IPP47N10S-33, IPB47N10S-33 SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 33 m Enhancement mode ID 47 A 175 C operating temperature P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking IPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706 N1033 IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

 5.1. Size:3643K  infineon
 ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdf pdf_icon

IPB47N10S-33

IPI47N10SL-26 IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26 SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 26 m Enhancement mode ID 47 A Logic Level P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free) Type Package Ordering Code Marking IPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

Otros transistores... IPB180N03S4L-H0, IPB180N04S3-02, IPB180N04S4-00, IPB180N06S4-H1, IPB22N03S4L-15, IPB45N06S4-09, IPB45N06S4L-08, IPB45P03P4L-11, AON7506, IPB47N10SL-26, IPB50N10S3L-16, IPB70N04S3-07, IPB70N10S3-12, IPB70N10S3L-12, IPB70N10SL-16, IPB77N06S2-12, IPB80N03S4L-02

 

 

 

 

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