Справочник MOSFET. IPB47N10S-33

 

IPB47N10S-33 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB47N10S-33
   Маркировка: N1033
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 175 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 370 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IPB47N10S-33

 

 

IPB47N10S-33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  infineon
ipi47n10s-33 ipp47n10s-33 ipb47n10s-33.pdf

IPB47N10S-33
IPB47N10S-33

IPI47N10S-33IPP47N10S-33, IPB47N10S-33SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 33 m Enhancement modeID 47 A 175C operating temperatureP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingIPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706N1033IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

 5.1. Size:3643K  infineon
ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdf

IPB47N10S-33
IPB47N10S-33

IPI47N10SL-26IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 26 m Enhancement modeID 47 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free)Type Package Ordering Code MarkingIPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top