Справочник MOSFET. IPB47N10S-33

 

IPB47N10S-33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB47N10S-33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB47N10S-33

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB47N10S-33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  infineon
 ipi47n10s-33 ipp47n10s-33 ipb47n10s-33.pdf pdf_icon

IPB47N10S-33

IPI47N10S-33IPP47N10S-33, IPB47N10S-33SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 33 m Enhancement modeID 47 A 175C operating temperatureP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingIPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706N1033IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

 5.1. Size:3643K  infineon
 ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdf pdf_icon

IPB47N10S-33

IPI47N10SL-26IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 26 m Enhancement modeID 47 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free)Type Package Ordering Code MarkingIPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

Другие MOSFET... IPB180N03S4L-H0 , IPB180N04S3-02 , IPB180N04S4-00 , IPB180N06S4-H1 , IPB22N03S4L-15 , IPB45N06S4-09 , IPB45N06S4L-08 , IPB45P03P4L-11 , IRFP250 , IPB47N10SL-26 , IPB50N10S3L-16 , IPB70N04S3-07 , IPB70N10S3-12 , IPB70N10S3L-12 , IPB70N10SL-16 , IPB77N06S2-12 , IPB80N03S4L-02 .

History: STP10NK70ZFP | AOC2414 | 40N06 | FTK7N65F | AOB266L | PZD502CYB | HUFA76429P3

 

 
Back to Top

 


 
.