IPB50N10S3L-16 Todos los transistores

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IPB50N10S3L-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB50N10S3L-16

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0154 Ohm

Empaquetado / Estuche: PGTO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB50N10S3L-16

 

IPB50N10S3L-16 Datasheet (PDF)

1.1. ipp50n10s3l ipb50n10s3l ipi50n10s3l-16.pdf Size:186K _infineon

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IPB50N10S3L-16 IPI50N10S3L-16, IPP50N10S3L-16 OptiMOS-T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R (SMD version) 15.4 m? DS(on),max I 50 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type P

5.1. ipb50r199cp rev2.0.pdf Size:554K _infineon

IPB50N10S3L-16
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5.3. ipb50r250cp rev2.0.pdf Size:552K _infineon

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