IPB50N10S3L-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB50N10S3L-16
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0154 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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IPB50N10S3L-16 Datasheet (PDF)
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IPB50N10S3L-16IPI50N10S3L-16, IPP50N10S3L-16OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR (SMD version) 15.4mDS(on),max I 50 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Aval
ipb50n12s3l-15 ipi50n12s3l-15 ipp50n12s3l-15.pdf

IPB50N12S3L-15IPI50N12S3L-15, IPP50N12S3L-15OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max (SMD version) 15.4 mW ID 50 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualifiedPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temper
ipb50cn10ng ipd49cn10ng ipi50cn10ng ipp50cn10ng.pdf

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History: MMBFJ113 | HAT2270H



Liste
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