IPB50N10S3L-16 Todos los transistores

 

IPB50N10S3L-16 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB50N10S3L-16

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0154 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de IPB50N10S3L-16 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPB50N10S3L-16 datasheet

 ..1. Size:186K  infineon
ipb50n10s3l-16 ipi50n10s3l-16 ipp50n10s3l-16 ipp50n10s3l ipb50n10s3l ipi50n10s3l-16.pdf pdf_icon

IPB50N10S3L-16

IPB50N10S3L-16 IPI50N10S3L-16, IPP50N10S3L-16 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R (SMD version) 15.4 m DS(on),max I 50 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Aval

 7.1. Size:404K  infineon
ipb50n12s3l-15 ipi50n12s3l-15 ipp50n12s3l-15.pdf pdf_icon

IPB50N10S3L-16

IPB50N12S3L-15 IPI50N12S3L-15, IPP50N12S3L-15 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary VDS 120 V RDS(on),max (SMD version) 15.4 mW ID 50 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temper

 9.1. Size:902K  infineon
ipb50cn10ng ipd49cn10ng ipi50cn10ng ipp50cn10ng.pdf pdf_icon

IPB50N10S3L-16

$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 1 D S ) 5 3@@7> @AD?3> >7H7> 4 m . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F "* ( D n) D S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7 S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ S %673> 8AD ;9 8D7CG7@5K EI;F5 ;@9 3@6 EK@5 DA@AGE

 9.2. Size:554K  infineon
ipb50r199cp.pdf pdf_icon

IPB50N10S3L-16

IPB50R199CP C IMOSTM # A0

Otros transistores... IPB180N04S4-00, IPB180N06S4-H1, IPB22N03S4L-15, IPB45N06S4-09, IPB45N06S4L-08, IPB45P03P4L-11, IPB47N10S-33, IPB47N10SL-26, IRFP450, IPB70N04S3-07, IPB70N10S3-12, IPB70N10S3L-12, IPB70N10SL-16, IPB77N06S2-12, IPB80N03S4L-02, IPB80N03S4L-03, IPB80N04S2-04

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG

 

 

 

Popular searches

9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor

 

 

↑ Back to Top
.