IPB015N04LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB015N04LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de IPB015N04LG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPB015N04LG datasheet

 ..1. Size:443K  infineon
 ipb015n04lg ipb015n04l .pdf pdf_icon

IPB015N04LG

pe $ " E $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 4 D S 4EF EI

 4.1. Size:440K  infineon
 ipb015n04l.pdf pdf_icon

IPB015N04LG

pe $ " E $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 4 D S 4EF EI

 4.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ipb015n04l.pdf pdf_icon

IPB015N04LG

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB015N04L FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIM

 5.1. Size:670K  infineon
 ipp015n04n ipb015n04n.pdf pdf_icon

IPB015N04LG

pe ## ! ! # ! ! D # A0;53E;A@D R ' 5 3@@7> @AC?3> >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ( & D n) R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 E7DE76 R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@E R "

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IPB80P03P4L-04, IPB80P03P4L-07, IPB90N04S4-02, IPB90N06S4-04, IPB90N06S4L-04, IPB009N03LG, IPB011N04LG, IPB011N04NG, AO4468, IPB015N04NG, IPB016N06L3G, IPB017N06N3G, IPB019N06L3G, IPB019N08N3G, IPB020N04NG, IPB020NE7N3G, IPB021N06N3G