IPB019N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB019N08N3G
Código: 019N08N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 155 nC
Tiempo de subida (tr): 73 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2890 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263-7
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB019N08N3G
IPB019N08N3G Datasheet (PDF)
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ipb019n08n5.pdf
IPB019N08N5MOSFETD-PAK 7pinOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 100% avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual
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ipb019n06l3.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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