IPB019N08N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB019N08N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TO263-7

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IPB019N08N3G datasheet

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IPB019N08N3G

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 4.1. Size:1072K  infineon
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IPB019N08N3G

IPB019N08N5 MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 100% avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 6.1. Size:541K  infineon
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IPB019N08N3G

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IPB019N08N3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI

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