Справочник MOSFET. IPB019N08N3G

 

IPB019N08N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB019N08N3G
   Маркировка: 019N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7

 Аналог (замена) для IPB019N08N3G

 

 

IPB019N08N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:689K  infineon
 ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf

IPB019N08N3G IPB019N08N3G

# ! ! D #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?C 1 DQ H3579>55B9>7 Q .5BI B5C9CD1>35 +D n) e #) ' ' !Q ,E@5B9?B D85B=135Q ' 381>>5?B=1

 4.1. Size:1072K  infineon
 ipb019n08n5.pdf

IPB019N08N3G IPB019N08N3G

IPB019N08N5MOSFETD-PAK 7pinOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 100% avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 6.1. Size:541K  infineon
 ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdf

IPB019N08N3G IPB019N08N3G

pe % # ! F % (>.;?6?@%>EFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 DR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 ,D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?D

 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ipb019n06l3.pdf

IPB019N08N3G IPB019N08N3G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top