IPB019N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB019N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

Аналог (замена) для IPB019N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB019N08N3G даташит

 ..1. Size:689K  infineon
ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdfpdf_icon

IPB019N08N3G

# ! ! D # A03 B53 1 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?C 1 D Q H3579>55B9>7 Q .5BI B5C9CD1>35 + D n) e #) ' ' ! Q ,E@5B9?B D85B=135 Q ' 381>>5?B=1

 4.1. Size:1072K  infineon
ipb019n08n5.pdfpdf_icon

IPB019N08N3G

IPB019N08N5 MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 100% avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 6.1. Size:541K  infineon
ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdfpdf_icon

IPB019N08N3G

pe % # ! F % (>.;?6?@ %>E Features D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m x R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 D R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 , D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @?D

 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
ipb019n06l3.pdfpdf_icon

IPB019N08N3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI

Другие IGBT... IPB009N03LG, IPB011N04LG, IPB011N04NG, IPB015N04LG, IPB015N04NG, IPB016N06L3G, IPB017N06N3G, IPB019N06L3G, IRF840, IPB020N04NG, IPB020NE7N3G, IPB021N06N3G, IPB022N04LG, IPB023N04NG, IPB023N06N3G, IPB025N08N3G, IPB025N10N3G