IPB020N04NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB020N04NG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Encapsulados: TO263-7
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IPB020N04NG datasheet
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ipb020n08n5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB020N08N5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB020N08N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance
ipb020ne7n3 ipb020ne7n3g.pdf
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ipb020n10n5lf.pdf
IPB020N10N5LF MOSFET D PAK OptiMOSTM 5 Linear FET, 100 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain
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