IPB020N04NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB020N04NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO263-7

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IPB020N04NG datasheet

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IPB020N04NG

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 6.1. Size:1131K  infineon
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IPB020N04NG

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB020N08N5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB020N08N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance

 7.1. Size:530K  infineon
ipb020ne7n3 ipb020ne7n3g.pdf pdf_icon

IPB020N04NG

# ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 D Q H35

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IPB020N04NG

IPB020N10N5LF MOSFET D PAK OptiMOSTM 5 Linear FET, 100 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain

Otros transistores... IPB011N04LG, IPB011N04NG, IPB015N04LG, IPB015N04NG, IPB016N06L3G, IPB017N06N3G, IPB019N06L3G, IPB019N08N3G, 20N60, IPB020NE7N3G, IPB021N06N3G, IPB022N04LG, IPB023N04NG, IPB023N06N3G, IPB025N08N3G, IPB025N10N3G, IPB027N10N3G