IPB039N10N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB039N10N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO263-7

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IPB039N10N3G datasheet

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IPB039N10N3G

IPB039N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

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IPB039N10N3G

IPB039N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

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IPB039N10N3G

Type IPP039N04L G IPB039N04L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 40 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 80 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on

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IPB039N10N3G

Type IPP039N04L G IPB039N04L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 40 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 80 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on

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