IPB042N03LG Todos los transistores

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IPB042N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB042N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK_TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB042N03LG

 

IPB042N03LG Datasheet (PDF)

5.1. ipb049ne7n3 rev2.2.pdf Size:530K _infineon

IPB042N03LG
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5.2. ipb048n06lg ipp048n06lg rev1.15.pdf Size:734K _infineon

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IPP048N06L G IPB048N06L G Power-Transistor Product Summary Features V D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> R 4 4 m , ?> =1G ,' E5AB9?> P ( 381>>5< 5>81>35=5>C 7 C5=@5A1CDA5 P E1<1>385 A1C54 P *2 6A55 <514 @<1C9>7 + ?", 3?=@<91>C P "1 6A55 133?A49>7 C? # Type #** ( & #* ( & Package ? O ? ?1 ? O ? ? Marking 4 N 4 N

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