Справочник MOSFET. IPB042N03LG

 

IPB042N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB042N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IPB042N03LG

 

 

IPB042N03LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:609K  infineon
 ipb042n03l.pdf

IPB042N03LG IPB042N03LG

pe %% # ! % # ! F % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 4 m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 7 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86

 7.1. Size:746K  infineon
 ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdf

IPB042N03LG IPB042N03LG

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 GIPP045N10N3 G3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1

 7.2. Size:976K  infineon
 ipb042n10n3g.pdf

IPB042N03LG IPB042N03LG

IPB042N10N3 GMOSFETDPAKOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica

 7.3. Size:204K  inchange semiconductor
 ipb042n10n3g.pdf

IPB042N03LG IPB042N03LG

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3GFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top