IPB042N03LG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPB042N03LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB042N03LG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB042N03LG даташит
ipb042n03l.pdf
pe %% # ! % # ! F % (>.;?6?@ %>E Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- 4 m - @? >2H Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 7 D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4@>A= 2?D Q "2=@86
ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdf
IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G IPP045N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5?B=1
ipb042n10n3g.pdf
IPB042N10N3 G MOSFET D PAK OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V Features N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica
ipb042n10n3g.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3G FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Ultra-fast body diode High speed switching Very low on-resistence Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Другие IGBT... IPB034N06N3G, IPB035N08N3G, IPB036N12N3G, IPB037N06N3G, IPB038N12N3G, IPB039N04LG, IPB039N10N3G, IPB041N04NG, IRFP250N, IPB042N10N3G, IPB048N06LG, IPB049N06L3G, IPB049NE7N3G, IPB050N06NG, IPB051NE8NG, IPB052N04NG, IPB054N06N3G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625



