IPB065N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB065N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB065N03LG datasheet

 4.1. Size:614K  infineon
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IPB065N03LG

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 4.2. Size:242K  inchange semiconductor
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IPB065N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB065N03L DESCRIPTION Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Designed for high current, high speed switching, switch mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SY

 6.1. Size:738K  infineon
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IPB065N03LG

IPB065N06L G IPP065N06L G Power-Transistor Product Summary Features V D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> R m , ?> =1G P ( 381>>581>35=5>C

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