IPB320N20N3G Todos los transistores

 

IPB320N20N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB320N20N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB320N20N3G Datasheet (PDF)

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IPB320N20N3G

IPB320N20N3 G IPP320N20N3 GIPI320N20N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS N-channel, normal levelR 32mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 34 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applica

 ..2. Size:731K  infineon
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IPB320N20N3G

$ " " $$ " " $ " " TM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 200 VDSQ ' 381>>5?B=1

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB320N20N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB320N20N3GFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

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History: AM90N03-01P | AO4423-L | IRFPC60PBF | FTK3610 | AOL1428A | NTMFD6H840NLT1G | AP4419GH

 

 
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