IPB50R199CP Todos los transistores

 

IPB50R199CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB50R199CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB50R199CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  infineon
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IPB50R199CP

IPB50R199CPCIMOSTM #:A0

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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IPB50R199CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R199CPFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 7.1. Size:555K  infineon
 ipb50r140cp.pdf pdf_icon

IPB50R199CP

IPB50R140CPCIMOSTM #:A0

 7.2. Size:228K  inchange semiconductor
 ipb50r140cp.pdf pdf_icon

IPB50R199CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R140CPFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: BUK9K45-100E | AP8600MT | VBA1311 | HAF2011L

 

 
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