IPB50R199CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB50R199CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB50R199CP datasheet

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IPB50R199CP

IPB50R199CP C IMOSTM # A0

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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IPB50R199CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R199CP FEATURES With TO-263( D PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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IPB50R199CP

IPB50R140CP C IMOSTM # A0

 7.2. Size:228K  inchange semiconductor
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IPB50R199CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R140CP FEATURES With TO-263( D PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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