IPB60R199CPA Todos los transistores

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IPB60R199CPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB60R199CPA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 139 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.199 Ohm

Empaquetado / Estuche: PGTO263

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IPB60R199CPA Datasheet (PDF)

1.1. ipb60r199cpa.pdf Size:427K _infineon

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IPB60R199CPA CoolMOS Power Transistor Product Summary V 600 V DS R 0.199 ? DS(on),max Q 33 nC g,typ Features Lowest figure-of-merit Ron x Qg Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated PG-TO263-3 High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified Green package (RoHS compliant) CoolMOS CPA is specially designed for: DC/DC converters for Automotive Applications

1.2. ipb60r199cp rev2.1a.pdf Size:568K _infineon

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IPB60R199CP C??IMOS #:A0< &<,9=4=>:< #<:/?.> %?88,7G=; nC g typ V #MIG;C; :K :I G7I;: V &?=> F;7A 9JGG;DI 97F78?B?IN V / J7B?2.1. ipb60r190c6 2 1.pdf Size:1495K _infineon

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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R190C6 Data Sheet Rev. 2.1, 2010-02-09 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6 IPI60R190C6, IPP60R190C6 IPW60R190C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the s

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