IPD22N08S2L-50 Todos los transistores

 

IPD22N08S2L-50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD22N08S2L-50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD22N08S2L-50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  infineon
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IPD22N08S2L-50

IPD22N08S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 50mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 25 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD22N08S2L

 9.1. Size:448K  infineon
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IPD22N08S2L-50

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 9.2. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD22N08S2L-50

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD220N06L3,IIPD220N06L3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)22mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60

Otros transistores... IPB65R660CFD , IPB70N04S4-06 , IPB79CN10NG , IPB80N04S4-03 , IPD100N04S4-02 , IPD100N06S4-03 , IPD14N06S2-80 , IPD15N06S2L-64 , IRFB4110 , IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 , IPD26N06S2L-35 , IPD30N03S2L-07 , IPD30N03S2L-10 , IPD30N03S2L-20 , IPD30N03S4L-09 , IPD30N03S4L-14 .

History: HGN095NE4SL | PMPB14XP

 

 
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