IPD22N08S2L-50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD22N08S2L-50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD22N08S2L-50 datasheet

 ..1. Size:150K  infineon
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IPD22N08S2L-50

IPD22N08S2L-50 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R 50 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 25 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD22N08S2L

 9.1. Size:448K  infineon
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IPD22N08S2L-50

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 9.2. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD22N08S2L-50

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD220N06L3,IIPD220N06L3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 22m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60

Otros transistores... IPB65R660CFD, IPB70N04S4-06, IPB79CN10NG, IPB80N04S4-03, IPD100N04S4-02, IPD100N06S4-03, IPD14N06S2-80, IPD15N06S2L-64, AON6414A, IPD25N06S2-40, IPD25N06S4L-30, IPD26N06S2L-35, IPD30N03S2L-07, IPD30N03S2L-10, IPD30N03S2L-20, IPD30N03S4L-09, IPD30N03S4L-14