IPD22N08S2L-50. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD22N08S2L-50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD22N08S2L-50
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD22N08S2L-50 даташит
ipd22n08s2l-50.pdf
IPD22N08S2L-50 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R 50 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 25 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD22N08S2L
ipd220n06l3 ipd220n06l3g.pdf
pe % # ! % (>.;?6?@ %>E Features D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 m D n) m x R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD D R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @?D Type #* ( & ! Package G O Mark
ipd220n06l3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD220N06L3,IIPD220N06L3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 22m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60
Другие IGBT... IPB65R660CFD, IPB70N04S4-06, IPB79CN10NG, IPB80N04S4-03, IPD100N04S4-02, IPD100N06S4-03, IPD14N06S2-80, IPD15N06S2L-64, AON6414A, IPD25N06S2-40, IPD25N06S4L-30, IPD26N06S2L-35, IPD30N03S2L-07, IPD30N03S2L-10, IPD30N03S2L-20, IPD30N03S4L-09, IPD30N03S4L-14
History: IPD25N06S2-40
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079


