IPD35N10S3L-26 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD35N10S3L-26
   Código: 3N10L26
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD35N10S3L-26

IPD35N10S3L-26 Datasheet (PDF)

..1. Size:177K infineon
ipd35n10s3l-26 ipd35n10s3l-26 ds 1 1.pdf

IPD35N10S3L-26OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 26mWDS(on),maxI 35 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD35N10S3L-26 PG-TO252-3-11 3N10L26Ma

..2. Size:311K inchange semiconductor
ipd35n10s3l-26.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD35N10S3L-26FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MA

7.1. Size:392K infineon
ipd35n12s3l-24.pdf

IPD35N12S3L-24OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 24 mW ID 35 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

9.1. Size:1008K infineon
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% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C

9.2. Size:242K inchange semiconductor
ipd350n06l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD350N06L,IIPD350N06LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)35mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Ga

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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