IPD35N10S3L-26 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPD35N10S3L-26
Маркировка: 3N10L26
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD35N10S3L-26
IPD35N10S3L-26 Datasheet (PDF)
ipd35n10s3l-26 ipd35n10s3l-26 ds 1 1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IPD35N10S3L-26OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 26mWDS(on),maxI 35 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD35N10S3L-26 PG-TO252-3-11 3N10L26Ma
ipd35n10s3l-26.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD35N10S3L-26FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MA
ipd35n12s3l-24.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IPD35N12S3L-24OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 24 mW ID 35 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp
ipd350n06lg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C
ipd350n06l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD350N06L,IIPD350N06LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)35mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Ga
Другие MOSFET... IPD30N06S2-15 , IPD30N06S2-23 , IPD30N06S2L-13 , IPD30N06S2L-23 , IPD30N06S4L-23 , IPD30N08S2-22 , IPD30N08S2L-21 , IPD30N10S3L-34 , 2SK3568 , IPD40N03S4L-08 , IPD50N03S2-07 , IPD50N03S2L-06 , IPD50N03S4L-06 , IPD50N04S3-08 , IPD50N04S3-09 , IPD50N06S2-14 , IPD50N06S2L-13 .
![IPD35N10S3L-26](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IPD35N10S3L-26](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IPD35N10S3L-26](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918