IPD35N10S3L-26. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD35N10S3L-26
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD35N10S3L-26
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD35N10S3L-26 даташит
ipd35n10s3l-26 ipd35n10s3l-26 ds 1 1.pdf
IPD35N10S3L-26 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R 26 mW DS(on),max I 35 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD35N10S3L-26 PG-TO252-3-11 3N10L26 Ma
ipd35n10s3l-26.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD35N10S3L-26 FEATURES Drain Current I = 35A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 24m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MA
ipd35n12s3l-24.pdf
IPD35N12S3L-24 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary VDS 120 V RDS(on),max 24 mW ID 35 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applications PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Typ
ipd350n06lg.pdf
% # ! % (>.;?6?@ %>E Features D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> mW D n) m x P ( 381>>581>35=5>C
Другие IGBT... IPD30N06S2-15, IPD30N06S2-23, IPD30N06S2L-13, IPD30N06S2L-23, IPD30N06S4L-23, IPD30N08S2-22, IPD30N08S2L-21, IPD30N10S3L-34, K3569, IPD40N03S4L-08, IPD50N03S2-07, IPD50N03S2L-06, IPD50N03S4L-06, IPD50N04S3-08, IPD50N04S3-09, IPD50N06S2-14, IPD50N06S2L-13
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p



